IKW75N65ES5 英飞凌650V S5系列IGBT **低饱和压降

英飞凌IGBT 650V S5系列采用高速TRENCHSTOP?5的芯片技术，**低VCEsat 1.35 V，比H5系列低20%，可满足
10 kHz至40 kHz的应用切换要求，实现高效率。

特性
	IC = 75 A 时 VCE(sat) = 1.42 V（典型值）      
	较高结温：TJ = 175 °C
	无尾电流
	低EMI
	易于并联
	全额定电流二极管

应用
	焊机
	光伏
	UPS
	EV充电

产品

型号                     VCEO    I C @ 100°C     VCE(sat)      工作温度           封装
IKW30N65ES5	    650	     39.5	           1.35	     -40-175	    TO-247-3
IKW40N65ES5     650	      50	           1.35	     -40-175	    TO-247-3
IKW50N65ES5	    650	      60.5	           1.35	     -40-175	    TO-247-3
IKW75N65ES5	    650	      80	           1.42	     -40-175	    TO-247-3